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特征

垂直式，MEMS工藝加工探針，針對高端SOC測試，如手機AP、CPU、GPU、AI算力等系列芯片。

特征

具有并測數高、裝針數量大、植針面積大等特點，主要應用于HBM、NAND Flash、DRAM等存儲芯片以及CIS芯片等。

特征

具有成本低、生產周期短、測試壽命長等特點，主要應用于NOR Flash、 EEPROM等存儲芯片、CIS、MCU等

特征

具有測試壽命長、測試性能穩定等特點，主要應用于手機AP、電源管理芯片、射頻收發器芯片、其他SoC等

特征

MEMS工藝制作，針對高頻測試，如射頻、光電類芯片等。